반도체 기술영업 입문자를 위한 용어정리(5)

제가 주로 돌아다니는 곳은 한정되어 있지만, 두 번 이상 방문해 본 업체는 파주부터 구미까지 많은 업체들이 있었습니다. 골프, 헬스, 음주, 장거리 운전까지. 고객사가 넓어서 많이 걷게 되더라도 최대한 즐기는 마음으로 다니고 있습니다. 허리에 안 좋은 행동을 많이 하는 영업사원 입장에서 걷기는 허리에 정말 좋으니까요 ㅎㅎ

고객이 내향적이고 협력사 친화적이라서 카페에서의 미팅만으로도 많은 것을 얻으시길 바랍니다...

 

오늘부터는 공정 위주의 단어들을 정리해보겠습니다. 반도체 관련해서는 범용적인 단어들이므로 한 번 읽어보세요.

 

51. Bake

52. BOH

53. Bumping

54. Burr

55. Calibration

56. CIP

57. CMP

58. Contour map

59. Cu stud

60. Damage

 

51. Bake

베이크: 반도체 제조 과정에서 포토레지스트의 경화 등을 위해 웨이퍼를 가열하는 과정. 

 

* Bake라는 단어는 여러 공정에서 쓰였다. PR(Photo Resist)의 경우 액체로 도포되는데, 이때 용매를 날려서 용질만 남기는 경우 베이크라는 단어를 사용했고, 업체별로 다르겠지만 패키징에서도 EMC를 액체로 도포해서 UV를 조사하여 경화하는 경우에도 베이크라고 하는 업체도 있었다. 용매를 날려서 액체를 고체 상태로 만드는 경우 베이크라는 단어를 사용하기도 하고, 다양한 경우에 사용하기 때문에 문맥을 파악하면 될 것 같다. 

 

52. BOH

Balance on Hand: 현재 보유하고 있는 재고 수량을 의미

 

* 고객사 재고를 말할 때 주로 사용하는 단어. 원자재, 부자재 납품 시 고객사에서 안전재고를 가져간다고 더 많은 수량을 요청하거나, 재고를 줄여서 가져가겠다고 말할 때 BOH가 2주 수준으로 유지될 수 있도록 납품해 주세요 와 같은 메일을 주고받는다. 이때, 안전재고는 버퍼 물량이라고도 한다. 

 

53. Bumping

범핑: 웨이퍼나 다이에 작은 금속 돌기를 형성하는 공정으로, 주로 플립 칩 패키징에서 사용

 

* Strip 가공에서 대부분 쓰이는 말로, 관련 공정이 많기 때문에 넣은 단어. 주로 Sn(tin)을 사용하는 경우가 많으며, Cu stud로 대체되는 경향도 있지만, 대기업이 아닌 경우에는 새로운 공정을 넣지 않으므로 수년, 십 수년 전의 기술이 계속 사용되는 경우가 많다. 

 

54. Burr

버: 가공 과정에서 발생하는 날카로운 금속 조각이나 돌기. 

 

* Packaging에서 사용되는 말로, 물리적으로 chip을 가공할 경우에 보푸라기 혹은 찌꺼기 같은 것이 남게 된다. 이를 화학 물질에 담그거나, 물리적으로 제거하는 방법으로 없애 준다. Burr가 남아있으면 후공정에서 문제가 생기기 때문에 매우 중요한 이슈이다. 

 

55. Calibration

검교정: 측정 장비의 정확성을 보장하기 위해 표준과 비교하여 조정하는 과정. 

 

* 버니어 캘리퍼스, 마이크로미터와 같은 아주 작은 측정 장비조차 검교정을 받아야 한다. 크기가 큰 측정 장비는 당연히 받아야 하고, 수년에 한 번 혹은 매년 검교정을 진행한다. 고객사에서 이슈가 났다고 해서 확인해보면 검교정이 안 된 경우가 많다. 그럴 때는 가장 최근에 검교정을 받은 장비를 들고 가서 고객을 확인시키고 검교정을 받으라고 제안해야 한다. 

 

56. CIP

Continuous Improvement Process: 지속적인 개선 프로세스 (예: yield CIP). 

 

* 대부분 Audit을 진행하고 나서 보고서를 작성할 때 사용되는 단어이다. KPI에 넣을만한 대단한 프로젝트가 아니라면, 모든 공정에는 CIP를 진행한다고 설명하면 된다. 그 밑에 자잘한 내용으로 자동화를 알아본다거나 공정을 전반적으로 검토한다, Human Error를 줄이기 위해 매뉴얼을 간소화한다 등 일반적으로 사용되는 말이다. 

 

57. CMP

Chemical Mechanical Polishing: 화학적 기계적 연마 공정으로, 웨이퍼의 평탄화를 위해 사용

 

* 반도체 8대 공정 중 메이저 공정이다. CMP를 진행할 때는 설비, 슬러리, 패드, 컨디셔너, 웨이퍼 마운트 등 다양한 부품이 들어가고 시장 규모 자체도 크기 때문에 엄청난 양의 영업이 이루어진다. CMP 파트를 맡는다면 이직도 쉽고, 외국계 회사로의 진출도 고려할 수 있기 때문에 시장의 성장성은 적어도 규모자체를 보고 옮기는 사람들이 많다. 

 

58. Contour map

등고선 지도: 웨이퍼 표면의 높이 변화를 시각적으로 표현한 지도. 

 

* 웨이퍼, 패널, 스트립은 수십, 수백개의 개별 Die로 구성되어 있다. 이때 중앙과 가장자리는 높이가 동일할 수 없고, 이 높이를 맞추는 것이 중요하다. TTV(Total Thickness Variation) 혹은 WIWNU(Within Wafer Non Uniformity)라고 하는 단어로 두께 편차를 나타내며, CMP, Grinding 뿐만 아니라, 공정 내에서도 균일한 두께를 위해 공정을 설계한다. 

 

59. Cu stud

구리 스터드: 반도체 칩과 패키지 기판을 연결하는 구리 돌기 구조. 

 

* Copper 즉, 구리는 연성 물질로, 금속 중에 매우 무른 편이다. 무른 금속의 경우는 후공정에 방해가 되는 경우가 많다. 실컷 Cu의 특성을 살려서 공정을 흘려보냈지만, 후공정에서 Cu의 양을 조절하라거나 최대한 줄여야 제품 출하가 가능하다고 하는 경우가 많다. CMP에서도 Cu는 따로 관리하고, 패키징에서도 물리적으로 Cu를 긁게 되면 엿가락처럼 늘어나서 설계 자체를 공간 효율성이 낮게 설계하는 경우도 있다. 

 

60. Damage

손상: 제조 또는 처리 과정에서 발생한 물리적 결함이나 파손. 

 

* 웨이퍼가 원형인 이유 중 하나는 회전을 이용한 공정이 대부분이기 때문이다. 회전을 할 경우, 12인치의 직경을 가진 웨이퍼 전 면에 원심력을 이용해서 일정한 layer를 만들 수 있다. 하지만 회전의 경우, 수천 rpm으로 돌아가기 때문에, 회전에 방해되는 요소가 있다면 웨이퍼가 박살 난다. 웨이퍼의 박살은 수천만 원 손해 보는 것에서 그치지 않고, 설비 클리닝이 답이 없다. 설비를 멈추고 수만 조각의 잔해를 치우고, 다시 양산성 검사해서 공정을 태우는 시간은 10시간 이상 걸리는 것도 본 적이 있다. 그리고 패키징 단계에서의 대미지는 그나마 괜찮다. 각 칩, 혹은 각 다이에 대미지가 가는 경우들이 있기 때문에, 수율이 낮아지는 수준에서 멈추는 경우가 있다.